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        44次
        Power Amplifier Design Engineer
        面議
        環境好
        年終獎
        雙休
        交通方便
        有年假
        技術培訓
        申請職位
        基本信息
        工作性質全職
        職位類別高級開發
        招聘人數1人
        學歷要求碩士
        工作經驗1-3年
        性別要求不限
        年齡要求不限
        招聘部門不限
        工作地點廣東省深圳市南山區高新中一道2號(香港/香港)
        聯系方式
        聯系人:企業設置不公開
        聯系電話:企業設置不公開
        職位描述
        Responsibilities:
        - Design and development of Power Amplifiers (PAs) and front-end modules (FEMs) used in portable applications.
        - FEM designs involve the integration of a broad suite of RF technologies including, GaAs HBT PAs, GaAs pHEMT PAs and switches, RF filters.
        - Design involve literature review, patent review, CAD simulation, etc.
        - Development involve technology development, design optimization, etc.
        - The design of PAs, switches and DC bias control circuitry at the GaAs IC level will be required, as well as module level design and integration.
        - The production of PAs such as wafer fabrication, packaging, etc. will be required, as well as product testing, failure analysis, etc.
        - Additional duties and projects as assigned.

        Minimum Qualifications:
        - MSc(Eng)/MPhil/PhD in Physics, Electrical/Electronic Engineering, or equivalent education in RF & Microwave training.
        - New or recent graduates are encouraged to apply.
        - Experience in RF design and development.
        - Strong hands-on based aptitude is required.
        - Self-starter, able to manage projects with minimal guidance.

        Preferred Qualifications:
        - Proficient in analysis, design and simulation using CAD tools such as ADS and/or AWR.
        - Hands-on testing and diagnostics related RF measurement experience
        - Good familiarity with RF/Microwave test equipment and measurement techniques.
        - Knowledge in design & development of linear, GaAs HBT and/or pHEMT Power Amplifiers
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